影片標題電子學第8章場效電晶體－8-4 E-MOSFET之結構特性及直流偏壓2
影片說明 1. 分析E-MOSFET的VGS與VDD對工作區的影響 2. 操作在歐姆區、夾止飽和區及截止區的條件判斷
國家教育研究院、教育部國民及學前教育署、台達文教基金會
影片
2016
臨界電壓、歐姆區、夾止飽和區、截止區、非線性電阻特性
創用CC-姓名標示-非商業性-禁止改作4.0
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影片調整播放速度範例
影片調整播放速度提供七段調整功能
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調整影片播放解析度
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